防爆手電筒的發(fā)光原理:發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導體制成的,其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-N特性,即正向?qū)?,反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下,電子由N區(qū)注入P區(qū),空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復合而發(fā)光 。
防爆手電筒的特性:
(1)允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的大值。超過此值,LED發(fā)熱、損壞。
(2)大正向直流電流IFm:允許加的大的正向直流電流。超過此值可損壞二極管。
(3)大反向電壓VRm:所允許加的大反向電壓。超過此值,發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。
(4)工作環(huán)境topm:發(fā)光二極管可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍,發(fā)光二極管將不能正常工作,效率大大降低。
(5)打開電源時,不會產(chǎn)生火花,從而在危險空間不會因火花而發(fā)生爆炸的可能,達到防爆的效果,所以叫防爆手電。